RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
46
Por volta de -109% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2989
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link