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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
27
Por volta de -23% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
22
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
13.8
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
2989
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kllisre 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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