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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1763
3128
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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