RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
3128
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link