RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
46
Por volta de -21% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
11.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
2382
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link