RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.1
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2382
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link