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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Comparar
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Pontuação geral
AMD AE34G1601U1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G1601U1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
67
76
Por volta de 12% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.3
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
3.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
67
76
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
3.6
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
998
1260
AMD AE34G1601U1 4GB Comparações de RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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