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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Pontuação geral
AMD AE34G1601U1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD AE34G1601U1 4GB
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Razões a considerar
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
67
Por volta de -40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
6.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
3.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
67
48
Velocidade de leitura, GB/s
6.8
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
3.6
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
998
2466
AMD AE34G1601U1 4GB Comparações de RAM
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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