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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparar
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Pontuação geral
AMD R5316G1609U2K 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Razões a considerar
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
55
73
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
6.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
5.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
55
Velocidade de leitura, GB/s
6.3
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
5.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1309
2701
AMD R5316G1609U2K 8GB Comparações de RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
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