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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.3
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
11.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
2930
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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