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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de 31% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
39
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
2782
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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