RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
9.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
2782
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link