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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
12.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
2947
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparações de RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
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