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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
14.7
16.0
写入速度,GB/s
9.2
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2947
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
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Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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