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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Comparar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Pontuação geral
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
53
Por volta de 49% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
10.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
7.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
53
Velocidade de leitura, GB/s
14.7
10.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2272
2356
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Comparações de RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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