AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

总分
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

总分
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Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    27 left arrow 53
    左右 49% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    14.7 left arrow 10.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.2 left arrow 7.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    27 left arrow 53
  • 读取速度,GB/s
    14.7 left arrow 10.3
  • 写入速度,GB/s
    9.2 left arrow 7.7
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2272 left arrow 2356
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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