RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
6.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
10.0
6.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2634
2339
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Comparações de RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link