AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

总分
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    14.2 left arrow 13.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    10.0 left arrow 6.7
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    23 left arrow 26
    左右 -13% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    26 left arrow 23
  • 读取速度,GB/s
    14.2 left arrow 13.6
  • 写入速度,GB/s
    10.0 left arrow 6.7
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2634 left arrow 2339
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