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AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparar
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Pontuação geral
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
59
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
15.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
59
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2581
1954
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparações de RAM
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AMD R538G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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