RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Comparez
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Note globale
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
59
Autour de 37% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
59
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.2
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2581
1954
AMD R5S38G1601U2S 8GB Comparaison des RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link