Comparaison de la RAM Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Note globale

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

73 123

Autour de 41% latence réduite

Raisons de considérer
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

4 3

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

2,367.8 1,423.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

6400 5300

Autour de 1.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

476 402

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns