Porównanie pamięci RAM Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Wynik ogólny

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

73 123

Wokół strony 41% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,367.8 1,423.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

6400 5300

Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

476 402

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns