Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    73 left arrow 123
    Wokół strony 41% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,367.8 left arrow 1,423.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    6400 left arrow 5300
    Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR2
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    73 left arrow 123
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,510.5 left arrow 4,591.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,423.3 left arrow 2,367.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    476 left arrow 402
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania