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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
総合得点
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
総合得点
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
73
123
周辺 41% 低遅延
考慮すべき理由
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,367.8
1,423.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
5300
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
73
123
読み出し速度、GB/s
3,510.5
4,591.6
書き込み速度、GB/秒
1,423.3
2,367.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
6400
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
476
402
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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