Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    73 left arrow 123
    En 41% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,367.8 left arrow 1,423.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 5300
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latencia en PassMark, ns
    73 left arrow 123
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,510.5 left arrow 4,591.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,423.3 left arrow 2,367.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descripción
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    476 left arrow 402
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones