Comparación de la memoria RAM Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Puntuación global

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

73 123

En 41% menor latencia

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 3

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

2,367.8 1,423.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

6400 5300

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

476 402

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns