Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    73 left arrow 123
    Intorno 41% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 3
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    2,367.8 left arrow 1,423.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    6400 left arrow 5300
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    73 left arrow 123
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,510.5 left arrow 4,591.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,423.3 left arrow 2,367.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    476 left arrow 402
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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