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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
73
123
Intorno 41% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,367.8
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
6400
5300
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
73
123
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
4,591.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
2,367.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
6400
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
402
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB Confronto tra le RAM
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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