Comparação RAM Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Pontuação geral

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

73 123

Por volta de 41% menor latência

Razões a considerar
SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 3

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,367.8 1,423.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

6400 5300

Por volta de 1.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HMP112S6EFR6C-S6 1GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

476 402

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns