RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
62
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.6
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
30
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
15.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Comparações de RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link