RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link