RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link