RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
47
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2989
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link