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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
10.4
17.2
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2989
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
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