RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
62
Intorno -107% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
30
Velocità di lettura, GB/s
7.4
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
3792
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link