RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3371
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link