RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
6.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2081
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link