RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
29
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
29
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3208
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link