RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
27
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3337
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link