RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
14
26
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
26.4
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.8
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
14
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
26.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
19.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
4362
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link