RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.2
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3025
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link