RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
32
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3393
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link