RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2494
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link