RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
30
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
11.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2494
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMT84GL7AMR4C-RD 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link