RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
26
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.9
12.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2611
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link