RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
52
Por volta de 50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
52
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2384
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link