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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
37
Por volta de 30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
2230
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB Comparações de RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
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