RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Comparar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
3568
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link