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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de 22% menor latência
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
37
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2227
2808
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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