Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Pontuação geral
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Pontuação geral
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Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    29 left arrow 37
    Por volta de 22% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    16 left arrow 14.3
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.6 left arrow 10.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 12800
    Por volta de 1.5 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    29 left arrow 37
  • Velocidade de leitura, GB/s
    14.3 left arrow 16.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    10.1 left arrow 12.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2227 left arrow 2808
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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