RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 37
    Около 22% меньшая задержка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 14.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.6 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.3 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 12.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2227 left arrow 2808

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
модули RAM
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
модули RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
модули RAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
модули RAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
модули RAM