RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3256
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link