RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Comparar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
33
Por volta de 18% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
33
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
14.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
3596
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link