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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Comparar
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
54
Por volta de -135% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.7
1,973.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,967.4
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,973.5
6.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
776
2339
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Comparações de RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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