RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
54
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.7
1,973.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,967.4
13.6
Скорость записи, Гб/сек
1,973.5
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
2339
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link